1.機(jī)械混合法
機(jī)械混合法是最早出現(xiàn)的一種陶瓷基環(huán)氧板復(fù)合材料制備技術(shù)。 制備方法是將環(huán)氧板粉末和基質(zhì)粉末混合，球磨后燒結(jié)成型。其優(yōu)點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，但由于球磨本身不能完全破壞環(huán)氧板顆粒之間的團(tuán)聚，不能保證環(huán)氧板相和基質(zhì)相的均勻分散，同時(shí)由于球磨介質(zhì)的磨損，會(huì)帶入一些雜質(zhì)，給環(huán)氧板復(fù)合材料性能幫來不利影響。為此在機(jī)械混合的基礎(chǔ)上:使用大功率超聲振蕩以破壞團(tuán)聚，并使用適量分散劑，提高分散均勻性。球磨介質(zhì)采用與基質(zhì)相同的材料，可減少因球磨帶來的雜質(zhì)，如制備環(huán)氧板siC粉末增強(qiáng)SisN,基陶瓷復(fù)合材料采用SiNa磨球。

2.復(fù)合粉末法
復(fù)合粉末法是目前最常用的一一種方法， 制備過程是先經(jīng)化學(xué)、物理過程制備含有基質(zhì)和彌散相均勻分散的混合粉末，然后燒結(jié)成型，得到陶瓷基環(huán)氧板復(fù)合材料。該法多用于制備 SijN4/ SiC環(huán)氧板陶瓷復(fù)合材料，其技術(shù)關(guān)鍵在于復(fù)合粉末的制備。制備復(fù)合粉末通常采用的 方法有化學(xué)氣相沉積、先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法、激光合成法等。采用高純硅烷(10%SiH4, 90%H2)、 高純乙烯(999%)和高純氨氣(99.9%)通過氣相反應(yīng)可制備SisN4/SiC 復(fù)合粉末;或采用 [Si (CH,) ]2NH+NH3+ N2在1000~ 1300C,先通過氣相反應(yīng)，獲得Si C-N混合粉末，Si-C-N混合粉末中含有SisNa和sic及少量C,再加入燒結(jié)助劑Y2O3,采用SiNs磨球， 在分散劑乙醇中球磨10h, 干燥后在N2氣氛中1800°C熱壓燒結(jié)，制得SisN/SiC環(huán)氧板陶瓷復(fù) 合材料。此時(shí)，復(fù)合材料中SiN4基體平均粒徑0.5um, SiC 相的含量約25% (質(zhì)量分?jǐn)?shù))， 粒徑小于100 nm的siC品粒存在于基體SisN,品粒內(nèi)，粒徑在100 200m的sic品粒存在于基體SijN4品界。

3.原位反應(yīng)法
原位反應(yīng)法是將基體粉末分散子可生成環(huán)氧板顆粒的先驅(qū)體溶液中，經(jīng)干燥、預(yù)成型、熱處理生成含納來顆粒的復(fù)合粉末，最后熱壓成型。該法特點(diǎn)是可保證兩相均勻分收，且熱處理過程中生成的納來顆粒不發(fā)生團(tuán)聚。通過熱解有機(jī)先驅(qū)體聚六甲基環(huán)四烷，得到含sic和SijN4的復(fù)合粉末，經(jīng)燒結(jié)成型可制得SisNw/SiC陶瓷基環(huán)氧板復(fù)合材料。以Ti和BsC為原料，通過高能球磨能原位反應(yīng)生成環(huán)氧板TB/TiC材料粉體，由于C原子的擴(kuò)收首先生成TIC粒子。球磨30h后，Ti和B4C完全反應(yīng)生成TiC和TiB2兩相。其反應(yīng)機(jī)制為減慢的自蔓延反應(yīng)。長(zhǎng)時(shí)間球磨后，形成TiB2顆粒內(nèi)部聯(lián)有環(huán)氧板TiC粒子的復(fù)合納來粉體。

4.濕化學(xué)法
濕化學(xué)合成粉料是通過液相進(jìn)行的。由于在液相中配制，各組分的含量可精確控制并可實(shí)現(xiàn)在分子或原子水平上的均勻混合。通過工藝條件的正確控制，可使所生成的固相顆粒尺寸遠(yuǎn)小于1um,并且可獲得粒度分布窄，形狀為球體的粒子。因此，濕化學(xué)法特別適用于制備多組分、超細(xì)粉料。濕化學(xué)方法制造環(huán)氧板陶瓷復(fù)合粉體的方法主要有均勻共沉淀法、醇鹽 水解法、溶膠-一凝膠法、 非均相凝固法、包裹法等。運(yùn)用最廣泛的是溶膠-凝膠法，該法一般分4個(gè)步驟:①先把基體粉末和溶劑配成溶液，然后加入環(huán)氧板粉末，采用超聲波、分散劑及調(diào)節(jié)溶液pH值等方法，實(shí)現(xiàn)均勻分散、破壞原有的團(tuán)聚結(jié)構(gòu);②通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)，在不發(fā)生析品、團(tuán)聚、沉降的情況下，使體系凝膠聚合;③經(jīng)熱處理制得復(fù)合粉末;④復(fù)合粉末燒結(jié)成型制成環(huán)氧板復(fù)合材料。由于基體粉末均勻分散在環(huán)氧板顆粒周圍，在熱處理過程中成核、長(zhǎng)大，容易生成“晶內(nèi)型”結(jié)構(gòu)。

此外，還有如等離子相合成法、離子濺射等方法。