原位反應(yīng)合成的增強(qiáng)體與基體的界面干凈、無(wú)反應(yīng)物。郭建亭研究發(fā)現(xiàn)金屬間化合物基環(huán)氧板材料中的增強(qiáng)體與基體在多數(shù)情況下形成一一個(gè)光滑、 平直、無(wú)中間相的界面，而且一般以非共格或半共格的界面結(jié)合形式存在。界面兩側(cè)為直接的原子結(jié)合，結(jié)合強(qiáng)度高。運(yùn)用熱壓放熱8相的反應(yīng)(HPES)法制備了TiB2顆粒增強(qiáng)的NiAI基環(huán)氧板材料中，除了增強(qiáng)體TiB2外，還有少量的Mx2sC6型的硼化物NizoAl3B6存在，但TiB2與基體NiAl的界面干凈，未發(fā)現(xiàn)有界面反應(yīng)。

運(yùn)用金屬Ti箔SiC纖維金屬Al箔經(jīng)過(guò)自蔓延燃燒反應(yīng)和擴(kuò)散反應(yīng)制備連續(xù)siC纖維增強(qiáng)Ti-AI金屬間化合物基環(huán)氧板材料。研究表明該環(huán)氧板材料基體是層狀分布的AlzTi、Al2Ti、AITi、AITiz、a-Ti和少量的Ti相，SiC/基體的界面反應(yīng)與Ti/Al反應(yīng)同時(shí)發(fā)生，界面處的反應(yīng)產(chǎn)物主要是Ti、Si、 C的化合物，反應(yīng)層中Al元素含量少;在富Ti的a-Ti及AITis層中的SiC與基體界面反應(yīng)層厚度大于富Al的AlTi、Al2Ti層中的SiC與基體界面反應(yīng)層厚度; AITis中的SiC/基體界面層分為兩層，反應(yīng)產(chǎn)物包括TiC、TisSizCx Al4C3Six TizAIC、 TizAlC 等。

對(duì)于大多數(shù)鈦鋁金屬間化合物基環(huán)氧板材料來(lái)說(shuō)，由于纖維與基體之間化學(xué)相容性不好，在環(huán)氧板材料的制備和服役過(guò)程中，存在較為嚴(yán)重的化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生多層反應(yīng)產(chǎn)物。電鏡分析SCS-6SiC/Ti2AINb環(huán)氧板材料的界面表明，在反應(yīng)初期形成晶粒非常細(xì)小的TiC、TisSis, 其次為擴(kuò)散反應(yīng)形成等軸晶粒較大的TiC層，靠近基體Ti2AINb則為TisSi層。

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